三木SEO-搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产

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2025年9月9日——全世界知名半导体系体例造商罗姆（总部位在日本京都市）与德国年夜型汽车零部件供给商舍弗勒集团（总部位在德国赫尔佐根奥拉赫，如下简称“舍弗勒”）公布，作为战略互助伙伴瓜葛的主要里程碑，舍弗勒最先量产搭载罗姆SiC（碳化硅）MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国年夜型汽车制造商设计的产物。

作为电驱动总成体系的焦点部件，这次采用罗姆SiC MOSFET的逆变砖，对于电动汽车的效率及机能有十分显著的作用。这款高机能逆变砖冲破电动汽车牵引逆变器范畴凡是撑持的800V电压，可撑持更高的电池电压，并实现了650Arms的峰值电流输出。依附罗姆的SiC技能，该产物不仅实现了高效率及高输出功率，还有实现了产物小型化，将作为鞭策下一代电动汽车普和的主要产物投入市场。

罗姆与舍弗勒（原Vitesco Technologies）自2020年起成立战略互助伙伴瓜葛。2023年，两边签订碳化硅功率器件相干的持久供给和谈，加强对于晋升电动汽车机能至关主要的SiC芯片的供给系统。这次新产物的量产启动，注解这类优良互助瓜葛正于稳步取患上踊跃成效。

逆变砖

SiC MOS晶圆

舍弗勒集团 电驱动事业部CEO 陶斯乐（Thomas Stierle）暗示：“于电动出行解决方案范畴，咱们经由过程采用可扩大与模块化的计谋，乐成开发出合用在从零丁部件到高集成度电驱桥的逆变砖。咱们以通用平台开发为基石，乐成于短短一年内针对于中国市场日趋普和的X in 1架构开发出优质产物并投入量产。”

罗姆董事兼常务履行官 伊野 及英暗示：“舍弗勒逆变砖可以或许采用罗姆第4代SiC MOSFET三木SEO-并实现量产，咱们深感侥幸。罗姆的SiC技能可显著晋升电动汽车的效率及机能，经由过程与舍弗勒的互助，将进一步鞭策汽车财产的立异与可连续成长。”

舍弗勒集团 电驱动事业部CEO 陶斯乐（Thomas Stierle）（左）与罗姆董事兼常务履行官 伊野及英（右）